温度升高对雪崩击穿,齐纳击穿的影响
开头来说需要纠正的是，温度升高对雪崩击穿电压和齐纳击穿电压的影响是相反的。具体来说，温度升高会使雪崩击穿电压升高，而齐纳击穿电压则会降低。这一重点拎出来说在相关教科书中可以找到，例如由傅丰林主编的《低频电子线路》一书，由高等教育出版社出版。
开头来说 说一下，你的难题本身就是错误的，温度升高使雪崩击穿电压升高，齐纳击穿电压下降。你可以查书，推荐高等教育出版社出版的 低频电子线路 主编是傅丰林 接着 我们所了解的是 击穿电压 与 电子所获得的能量与外加电压共同影响的结局才导致的击穿现象。
这种独特的击穿机制与温度密切相关。温度的升高会增加中性原子的热运动，从而增加载流子的碰撞电离几率。因此，齐纳击穿时的温度系数为负，即温度升高会导致击穿电压的下降。相比之下，雪崩击穿则发生在掺杂浓度较低的PN结中。
齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，由于温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。
温度特性： 雪崩击穿：其击穿电压通常随温度升高而略有增加。 齐纳击穿：具有负的温度系数，即击穿电压随温度升高而下降。 应用场景： 雪崩击穿：常用于TVS稳压管等电路保护元件中，当瞬时电压超过正常值时，TVS二极管发生雪崩击穿，提供低电阻通路，保护电路免受瞬时电流冲击。
温度对击穿电压有显著影响：雪崩击穿的电压会随温度升高而增加（正温度系数），而齐纳击穿电压则会降低（负温度系数）。当温度达到临界点时，6V左右的两种击穿可能会同时发生，此时击穿电压的温度系数趋于零。
电磁兼容(EMC):雪崩击穿与齐纳击穿的区别
1、雪崩击穿与齐纳击穿是半导体二极管的两种不同击穿方式，它们在原理、发生条件、电压范围及温度系数上存在显著区别：原理区别：雪崩击穿：发生在反向电压接近击穿电压时，空间电荷区内电场增强，载流子能量增加，通过碰撞电离产生连锁反应，导致载流子数量剧增，反向电流急剧增大。
2、两者区别在于电压范围和温度系数。在电压低于5-6V时，齐纳击穿占主导地位，稳压值的温度系数为负；而在电压高于5-6V时，雪崩击穿更常见，稳压管的温度系数为正。在5-6V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳，这也是许多电路选用此电压范围稳压管的缘故。
3、聊了这么多，雪崩击穿和齐纳击穿在发生机制、电压范围、温度特性和应用场景等方面存在显著差异。了解这些差异对于设计与维护电子设备、保护电路免受过电压冲击至关重要。
怎样区别齐纳击穿和雪崩击穿
1、电压范围： 雪崩击穿：通常在电压高于56V时以雪崩击穿为主。 齐纳击穿：在电压低于56V时以齐纳击穿为主。在56V之间的稳压管中，两种击穿程度相近。 温度特性： 雪崩击穿：其击穿电压通常随温度升高而略有增加。 齐纳击穿：具有负的温度系数，即击穿电压随温度升高而下降。
2、齐纳击穿：适用于电压较低的场合，如低压稳压管。雪崩击穿：在电压较高的情况下更为适用，如高压保护电路中的TVS稳压管。聊了这么多，雪崩击穿与齐纳击穿在半导体二极管中扮演着不同的角色，了解它们的区别有助于在实际应用中做出更合适的选择。
3、在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要影响。 对于稳压管而言，区分这两种击穿的重要性在于：电压较低（低于5至6伏特）时，以齐纳击穿为主，其稳压值与温度的关系表现为负温度系数。
4、两者区别在于电压范围和温度系数。在电压低于5-6V时，齐纳击穿占主导地位，稳压值的温度系数为负；而在电压高于5-6V时，雪崩击穿更常见，稳压管的温度系数为正。在5-6V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳，这也是许多电路选用此电压范围稳压管的缘故。
5、答案概述：齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。
PN结击穿特性
1、答案：当加于二极管两端反向电压增大到一定值时，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。反向击穿后，反向电压很小的变化就会产生很大的电流变化，而且有恒压特性，若此时反向电流不加限制，就会因管耗过大而损坏。
2、雪崩击穿：在掺杂浓度较低的PN结中，当阻挡层的电场增强，载流子速度加快，足以撞出共价键中的价电子，形成自在电子-空穴对。这个经过会引发连锁反应，导致阻挡层中载流子数量急剧增多，如同雪崩。击穿电压相对较高。
3、PN结的击穿特性 击穿现象：当PN结反向电压过高时，会发生击穿现象，导致反向电流急剧增大，可能瞬间烧毁半导体器件。击穿类型：齐纳击穿：发生在掺杂浓度较高时，反向电压过大导致内电场增强，共价键中的电子被“拽出”，形成空穴对，导致反向电流急剧增大。
4、PN结的击穿特性 击穿现象通常发生在反向电压过高的情况下，分为齐纳击穿与雪崩击穿。齐纳击穿发生在掺杂浓度较高时，反向电压过大导致内电场增强，共价键中的电子被“拽出”，形成空穴对，导致反向电流急剧增大，瞬间半导体过热烧毁。
